IXTN22N100L
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 22A; SOT227B; schraubbar; 700W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN22N100L
Symbol TME:
IXTN22N100L
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 22A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,6Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 50A | ||
Verlustleistung | 700W | ||
Technologie | Linear™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 0,27µC | ||
Bereitschaftszeit | 1µs | ||
Gate-Source Spannung | ±40V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXTN22N100LAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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