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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	300V
Drainstrom	80A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	38mΩ
Drainstrom im Impuls	200A
Verlustleistung	735W
Technologie	Linear L2™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	660nC
Bereitschaftszeit	485ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN80N30L2

Modul; einzelner Transistor; 300V; 80A; SOT227B; schraubbar; 735W

Technische Daten