MCNA120UI2200TED
Modul: IGBT; Diode/Thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MCNA120UI2200TED
Symbol TME:
MCNA120UI2200TED
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Thyristor/IGBT | |
Topologie | 3-phasige Dioden-Thyristor-Brücke, boost chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 2,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 80A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Anwendung | Wechselrichter | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 150A | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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