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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	300A
Gehäuse	B3.7
Topologie	MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	7,5mΩ
Drainstrom im Impuls	1,096kA
Technologie	SiC
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

MD300HFR120B3S

Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 300A; B3.7; Idm: 1,096kA; SiC

Technische Daten