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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 300A | ||
Gehäuse | C2 62mm | ||
Topologie | MOSFET Halbbrücke | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 7,5mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1,096kA | ||
Technologie | SiC | ||
Gate-Source Spannung | -4...22V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |