MID150-12A4
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MID150-12A4
Symbol TME:
MID150-12A4
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | boost chopper | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 120A | |
Gehäuse | Y3-DCB | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Verlustleistung | 760W | |
Technologie | NPT | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MID150-12A4Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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