MSCSM120AM027CT6AG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 584A; SP6C; Idm: 1400A; 2,97kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM120AM027CT6AG
Symbol TME:
MSCSM120AM027CT6AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 584A | |
Gehäuse | SP6C | |
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Widerstand im Leitungszustand | 3,5mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 1400A | |
Verlustleistung | 2,97kW | |
Technologie | SiC | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* MSCSM120AM027CT6AGAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 774.53 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 929.43 EUR
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