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MX1N8169US/TR

Diode: TVS; 0,15kW; 53,2V; Unidirektional; Ch: 1; Rolle,Band; 4pF

NEUHEIT

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
MX1N8169US/TR
Symbol TME:
MX1N8169US/TR

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Dioden-Typ
TVS
Verlustleistung pro Impuls max.
0,15kW
Rückspannung max.
47V
Durchbruchspannung
53,2V
Struktur des Halbleiters
Unidirektional
Montage
SMD
Anzahl Kanäle
1
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kapazität
4pF
Betriebstemperatur
-55...175°C
Bruttogewicht0.1 g

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