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Hersteller	ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	80V
Gehäuse	APM19-CBC
Topologie	3-phasen Brücke MOSFET
Elektrische Montage	THT
Widerstand im Leitungszustand	3,2mΩ
Gate-Source Spannung	±20V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

NXV08V110DB1

Modul; Transistor/Transistor; 80V; APM19-CBC; THT; Ugs: ±20V; Tube

Technische Daten