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Hersteller	STMicroelectronics
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	30A
Gehäuse	ISOTOP
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	80mΩ
Drainstrom im Impuls	192A
Verlustleistung	450W
Technologie	MDmesh™, MESH OVERLAY™, PowerMesh™
Gate-Source Spannung	±30V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

STE48NM50

Modul; einzelner Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; 450W

Technische Daten