STE53NC50
Modul; einzelner Transistor; 500V; 33A; ISOTOP; schraubbar; 460W
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STE53NC50
Symbol TME:
STE53NC50
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 33A | ||
Gehäuse | ISOTOP | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 70mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 212A | ||
Verlustleistung | 460W | ||
Technologie | MDmesh™, MESH OVERLAY™, PowerMesh™ | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.66 g
Zertifikate
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* STE53NC50Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st