+1 500 000 Produkte im Angebot

7000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Registrierung

Wir informieren Sie, dass am 16.09.2026. um 22.00 - 24.00 (CEST) einige Probleme beim Zugriff auf unserer Webseite und bei Online-Bestellung aufkommen können. Wir entschuldigen uns für mögliche Unannehmlichkeiten.

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	STMicroelectronics
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	650V
Drainstrom	55,7A
Gehäuse	ISOTOP
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	24mΩ
Drainstrom im Impuls	352A
Verlustleistung	494W
Technologie	MDmesh™, MESH OVERLAY™, PowerMesh™
Gate-Source Spannung	±25V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

STE88N65M5

Modul; einzelner Transistor; 650V; 55,7A; ISOTOP; schraubbar; 494W

Technische Daten