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STGW75M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGW75M65DF2
Symbol TME:
STGW75M65DF2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
75A
Verlustleistung
468W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
225A
Montage
THT
Gate-Ladung
225nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht4.58 g
Zertifikate
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STGW75M65DF2
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Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st