STL50DN6F7
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 57A; Idm: 228A; 62,5W
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STL50DN6F7
Symbol TME:
STL50DN6F7
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET x2 | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 60V | |
Drainstrom | 57A | |
Drainstrom im Impuls | 228A | |
Verlustleistung | 62,5W | |
Gehäuse | PowerFLAT 5x6 | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Widerstand im Leitungszustand | 11mΩ | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 17nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht0.146 g
Zertifikate
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* STL50DN6F7Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st