VMO550-01F
Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VMO550-01F
Symbol TME:
VMO550-01F
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 590A | |
Gehäuse | Y3-DCB | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 2,1mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 2,36kA | |
Verlustleistung | 2,2kW | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 2µC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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