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VS-183NQ100PBF

Modul: Diodenl; einzelne Diode; 100V; If: 180A; D67,HALF-PAK; 240A

Hersteller: VISHAY

Kennzeichnung des Herstellers:
VS-183NQ100PBF
Symbol TME:
VS-183NQ100PBF

Technische Daten

Hersteller
VISHAY
Typ des Halbleitermoduls
Diodenl
Struktur des Halbleiters
einzelne Diode
Rückspannung max.
0,1kV
Vorwärtsstrom
180A
Gehäuse
D67, HALF-PAK
Vorwärtsspannung max.
0,73V
Strom im max. Impuls
2,5kA
Elektrische Montage
schraubbar
Vorwärtsstrom max.
240A
Mechanische Montage
schraubbar
Eigenschaften von Halbleiterelementen
Schottky
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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VS-183NQ100PBF
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