VUM33-06PH
Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; Ugs: ±20V
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VUM33-06PH
Symbol TME:
VUM33-06PH
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 50A | |
Gehäuse | V1-B-Pack | |
Topologie | 1-Phasendiodenbrücke, boost chopper | |
Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,12Ω | |
Verlustleistung | 500W | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht27.1 g
Zertifikate
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Nettopreis für Mengen von 40 st - 56.87 USDBruttopreis für Mengen von 40 st - 68.24 USD
Verpackungsmethode durch den Hersteller:Karton = 10 st