IXTN170P10P
Module; transistor simple; -100V; -170A; SOT227B; vissés; 890W
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXTN170P10P
Référence TME:
IXTN170P10P
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension drain-source | -100V | |
Courant du drain | -170A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 14mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | -510A | |
Puissance de dissipation | 890W | |
La technologie | PolarP™ | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 240nC | |
Temps d'attente | 176ns | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut30 g
Certificates
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