A1C15S12M3
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
A1C15S12M3
Symbol TME:
A1C15S12M3
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, boost chopper, IGBT Halbbrücke x3, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 15A | ||
Gehäuse | ACEPACK™1 | ||
Anwendung | Motoren, Wechselrichter | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 30A | ||
Verlustleistung | 142,8W | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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* A1C15S12M3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 10 st - 38.85 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 46.24 EUR