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Mehr erfahrenHersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 900V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 32A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 160A | ||
Technologie | POWER MOS 7®, PT | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |