APT40GP90JDQ2
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT40GP90JDQ2
Symbol TME:
APT40GP90JDQ2
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 900V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 27A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 160A | |
Verlustleistung | 284W | |
Technologie | POWER MOS 7® | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht31.36 g
Zertifikate
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* APT40GP90JDQ2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st