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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	IGBT
Technologie	NPT, POWER MOS 8®
Kollektor-Emitter-Spannung	650V
Kollektor-Emitter-Strom	65A
Verlustleistung	595W
Gehäuse	TO247-3
Gate - Emitter Spannung	±30V
Kollektorstrom im Impuls	260A
Montage	THT
Gate-Ladung	226nC
Verpackungs-Art	Tube
Anschaltzeit	64ns
Ausschaltzeit	264ns

APT70GR65B

Transistor: IGBT; NPT; 650V; 65A; 595W; TO247-3

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke