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APT85GR120B2

Transistor: IGBT; 1200V; 85A; 962W; TO247-3

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT85GR120B2
Symbol TME:
APT85GR120B2

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ
IGBT
Technologie
NPT Ultra Fast IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
85A
Verlustleistung
962W
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±30V
Kollektorstrom im Impuls
340A
Montage
THT
Gate-Ladung
0,49µC
Verpackungs-Art
Tube
Anschaltzeit
113ns
Ausschaltzeit
445ns
Bruttogewicht6.9 g
Zertifikate

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APT85GR120B2
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