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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	IGBT
Technologie	NPT, POWER MOS 8®
Kollektor-Emitter-Spannung	650V
Kollektor-Emitter-Strom	100A
Verlustleistung	892W
Gehäuse	T-Max
Gate - Emitter Spannung	±30V
Kollektorstrom im Impuls	400A
Montage	THT
Gate-Ladung	312nC
Verpackungs-Art	Tube
Anschaltzeit	105ns
Ausschaltzeit	336ns

APT95GR65B2

Transistor: IGBT; NPT; 650V; 100A; 892W; T-Max

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke