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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	87A
Gehäuse	SP6P
Topologie	MOSFET x3 Halbbrücke, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	21mΩ
Drainstrom im Impuls	400A
Verlustleistung	625W
Technologie	CoolMOS™, SiC
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

APTC60TAM21SCTPAG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 87A; SP6P; Press-in PCB; 625W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke