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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET / IGBT
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	38A
Gehäuse	SP3F
Topologie	1-Phasendiodenbrücke, Brücke H, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	45mΩ
Drainstrom im Impuls	130A
Verlustleistung	250W
Technologie	CoolMOS™, Field Stop, SiC, Trench
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar
Kollektor-Emitter-Strom	50A

APTCV60HM45RCT3G

Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke