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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET / IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	17A
Gehäuse	SP3
Topologie	3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	99mΩ
Drainstrom im Impuls	75A
Verlustleistung	110W
Technologie	Field Stop, SJ-MOSFET, Trench
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar
Kollektor-Emitter-Strom	30A

APTCV60TLM99T3G

Modul; Diode/Transistor; 600V; 17A; SP3; Press-in PCB; Idm: 75A

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke