APTGLQ50TL65T3G
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGLQ50TL65T3G
Symbol TME:
APTGLQ50TL65T3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | ||
Gehäuse | SP3F | ||
Anwendung | Photovoltaik | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 140A | ||
Technologie | Field Stop, Trench | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* APTGLQ50TL65T3GAnzahl Stück (Vielfache: 14)
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Nettopreis für Mengen von 14 st - 59.86 EURBruttopreis für Mengen von 14 st - 71.24 EUR
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