APTGT100DH120TG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; asymmetrische Brücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT100DH120TG
Symbol TME:
APTGT100DH120TG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | asymmetrische Brücke, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 100A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Elektrische Montage | Löten, Steckverbinder FASTON | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 200A | ||
Technologie | Field Stop, Trench | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* APTGT100DH120TGAnzahl Stück (Vielfache: 8)
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Nettopreis für Mengen von 8 st - 100.45 EURBruttopreis für Mengen von 8 st - 119.54 EUR
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