APTGT50TL601G
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT50TL601G
Symbol TME:
APTGT50TL601G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | ||
Gehäuse | SP1 | ||
Anwendung | Photovoltaik | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 100A | ||
Technologie | Field Stop, Trench | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
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* APTGT50TL601GAnzahl Stück (Vielfache: 16)
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Nettopreis für Mengen von 16 st - 59.39 USDBruttopreis für Mengen von 16 st - 70.67 USD
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