APTGT600A60G
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT600A60G
Symbol TME:
APTGT600A60G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | IGBT Halbbrücke | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 600A | ||
Gehäuse | SP6 | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 800A | ||
Verlustleistung | 2,3kW | ||
Technologie | Field Stop | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTGT600A60GAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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