APTM100A13SG
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller-Nr.:
APTM100A13SG
Symbol TME:
APTM100A13SG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 49A | |
Gehäuse | SP6C | |
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Widerstand im Leitungszustand | 156mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 240A | |
Verlustleistung | 1,25kW | |
Technologie | POWER MOS 7® | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM100A13SG
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