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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	14A
Gehäuse	SP3
Topologie	Brücke H, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	552mΩ
Drainstrom im Impuls	120A
Verlustleistung	357W
Technologie	POWER MOS 8®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100H46FT3G

Modul; Transistor/Transistor; 1kV; 14A; SP3; Press-in PCB; 357W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke