APTM10DAM05TG
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller-Nr.:
APTM10DAM05TG
Symbol TME:
APTM10DAM05TG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 207A | |
Gehäuse | SP4 | |
Topologie | boost chopper, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Widerstand im Leitungszustand | 5mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 1100A | |
Verlustleistung | 780W | |
Technologie | POWER MOS 5® | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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