+1 500 000 Produkte im Angebot

7000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Registrierung

Wir möchten Sie darauf hinweisen, dass es am 23.10.2026 von 20:00 bis 22:00 Uhr (MESZ) zu Problemen beim Zugriff auf die Website und bei Online-Bestellungen kommen kann. Wir entschuldigen uns für die Unannehmlichkeiten.

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	86A
Gehäuse	SP6C
Topologie	einzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	0,12Ω
Drainstrom im Impuls	464A
Verlustleistung	3,29kW
Technologie	POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM120U10SAG

Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 86A; SP6C; Idm: 464A; 3,29kW

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke