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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	122A
Gehäuse	SP6C
Topologie	MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	22,5mΩ
Drainstrom im Impuls	652A
Verlustleistung	1136W
Technologie	FREDFET, POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM50AM19FG

Modul; Transistor/Transistor; 500V; 122A; SP6C; Idm: 652A; 1136W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke