APTM50AM24SCG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1,25kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50AM24SCG
Symbol TME:
APTM50AM24SCG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 110A | |
Gehäuse | SP6C | |
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Widerstand im Leitungszustand | 28mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 600A | |
Verlustleistung | 1,25kW | |
Technologie | POWER MOS 7®, SiC | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM50AM24SCGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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Nettopreis für Mengen von 4 st - 238.69 EURBruttopreis für Mengen von 4 st - 284.03 EUR
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