APTM50H14FT3G
Modul; Transistor/Transistor; 500V; 18A; SP3F; Press-in PCB; 208W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50H14FT3G
Symbol TME:
APTM50H14FT3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 18A | |
Gehäuse | SP3F | |
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 168mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 105A | |
Verlustleistung | 208W | |
Technologie | FREDFET, POWER MOS 7® | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* APTM50H14FT3GAnzahl Stück (Vielfache: 13)
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Nettopreis für Mengen von 13 st - 65.04 EURBruttopreis für Mengen von 13 st - 77.40 EUR
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