B1D10065E
Diode: Gleichrichterdiode Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B1D10065E
Symbol TME:
B1D10065E
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Dioden-Typ | Gleichrichterdiode Schottky | ||
Gehäuse | TO252-2 | ||
Technologie | SiC | ||
Montage | SMD | ||
Rückspannung max. | 650V | ||
Vorwärtsstrom | 10A | ||
Struktur des Halbleiters | einzelne Diode | ||
Vorwärtsspannung max. | 1,75V | ||
Leck strom | 20µA | ||
Strom im max. Impuls | 75A | ||
Verpackungs-Art | Band, Rolle | ||
Verlustleistung | 50W |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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