B2D20120H1
Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2D20120H1
Symbol TME:
B2D20120H1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Dioden-Typ | Gleichrichterdiode Schottky | ||
Technologie | SiC | ||
Montage | THT | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Vorwärtsstrom | 20A | ||
Struktur des Halbleiters | einzelne Diode | ||
Gehäuse | TO247-2 | ||
Vorwärtsspannung max. | 1,78V | ||
Strom im max. Impuls | 190A | ||
Leck strom | 40µA | ||
Verlustleistung | 159W | ||
Verpackungs-Art | Tube |
Bruttogewicht5.85 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st