B2D20120HC1
Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10Ax2; 60W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2D20120HC1
Symbol TME:
B2D20120HC1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Dioden-Typ | Gleichrichterdiode Schottky | |
Technologie | SiC | |
Montage | THT | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Vorwärtsstrom | 10A x2 | |
Struktur des Halbleiters | doppelt, gemeinsame Kathode | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Vorwärtsspannung max. | 2V | |
Vorwärtsstrom max. | 20A | |
Strom im max. Impuls | 90A | |
Leck strom | 40µA | |
Verlustleistung | 60W | |
Verpackungs-Art | Tube |
Bruttogewicht6.2 g
Zertifikate
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* B2D20120HC1
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Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 30 st