B2D20120HC1
Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10Ax2; 60W
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2D20120HC1
Symbol TME:
B2D20120HC1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Dioden-Typ | Gleichrichterdiode Schottky | ||
Technologie | SiC | ||
Montage | THT | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Vorwärtsstrom | 10A x2 | ||
Struktur des Halbleiters | doppelt, gemeinsame Kathode | ||
Gehäuse | TO247-3 | ||
Vorwärtsspannung max. | 2V | ||
Vorwärtsstrom max. | 20A | ||
Strom im max. Impuls | 90A | ||
Leck strom | 40µA | ||
Verlustleistung | 60W | ||
Verpackungs-Art | Tube |
Bruttogewicht6.2 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* B2D20120HC1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st