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B3D20120HC

Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10Ax2; 167W

Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
B3D20120HC
Symbol TME:
B3D20120HC
BASiC SEMICONDUCTOR - logo

Technische Daten

Hersteller
BASiC SEMICONDUCTOR
Dioden-Typ
Gleichrichterdiode Schottky
Technologie
SiC
Montage
THT
Rückspannung max.
1,2kV
Vorwärtsstrom
10A x2
Struktur des Halbleiters
doppelt, gemeinsame Kathode
Gehäuse
TO247-3
Vorwärtsstrom max.
20A
Strom im max. Impuls
90A
Verlustleistung
167W
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht1 g
Zertifikate

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B3D20120HC
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