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BGH40N120HF

Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 40A; TO247-3

Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
BGH40N120HF
Symbol TME:
BGH40N120HF

Technische Daten

Hersteller
BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
IGBT
Technologie
Field Stop, SiC SBD, Trench
Kollektor-Emitter-Spannung
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
40A
Gehäuse
TO247-3
Gate - Emitter Spannung
±20V
Montage
THT
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht5 g
Zertifikate

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke

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