BGH40N120HS1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 40A; TO247-3
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH40N120HS1
Symbol TME:
BGH40N120HS1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 40A | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Montage | THT | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6.177 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* BGH40N120HS1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 7.44 GBPBruttopreis für Mengen von 1 st - 8.86 GBP
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Nettopreis für Mengen von 10 st - 5.93 GBPBruttopreis für Mengen von 10 st - 7.06 GBP
Nettopreis für Mengen von 30 st - 5.33 GBPBruttopreis für Mengen von 30 st - 6.34 GBP
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st