BGH50N65HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH50N65HF1
Symbol TME:
BGH50N65HF1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Transistor-Typ | IGBT | ||
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | ||
Verlustleistung | 357W | ||
Gehäuse | TO247-3 | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 200A | ||
Montage | THT | ||
Gate-Ladung | 308nC | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Anschaltzeit | 54ns | ||
Ausschaltzeit | 256ns | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6.245 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* BGH50N65HF1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st