BGH50N65ZF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH50N65ZF1
Symbol TME:
BGH50N65ZF1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | |
Verlustleistung | 357W | |
Gehäuse | TO247-4 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 308nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 54ns | |
Ausschaltzeit | 476ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6.72 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT THT-Transistoren BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH50N65ZF1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
26 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 7.19 GBPBruttopreis für Mengen von 1 st - 8.55 GBP
Nettopreis für Mengen von 5 st - 6.47 GBPBruttopreis für Mengen von 5 st - 7.70 GBP
Nettopreis für Mengen von 30 st - 5.72 GBPBruttopreis für Mengen von 30 st - 6.80 GBP
Nettopreis für Mengen von 150 st - 4.79 GBPBruttopreis für Mengen von 150 st - 5.70 GBP
Nettopreis für Mengen von 600 st - 4.62 GBPBruttopreis für Mengen von 600 st - 5.50 GBP
Das Produkt ist nur verfügbar, solange der Vorrat reicht
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st