BGH75N65ZF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH75N65ZF1
Symbol TME:
BGH75N65ZF1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Transistor-Typ | IGBT | ||
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | ||
Verlustleistung | 405W | ||
Gehäuse | TO247-4 | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 300A | ||
Montage | THT | ||
Gate-Ladung | 444nC | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Anschaltzeit | 84ns | ||
Ausschaltzeit | 565ns | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6.687 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* BGH75N65ZF1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st