BTD5350EBWR
IC: driver; Steuerung für Gates; SOW8; 10A; Ch: 1; 3÷18VDC; 5kV
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BTD5350EBWR
Symbol TME:
BTD5350EBWR
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Integrierten Schaltkreises-Typ | driver | |
Integrierten Schaltkreises-Art | Steuerung für Gates | |
Gehäuse | SOW8 | |
Ausgangsstrom | 10A | |
Anzahl Kanäle | 1 | |
Montage | SMD | |
Betriebstemperatur | -40...125°C | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Isolationsspannung | 5kV |
Versorgungsspannung
- 3...18V DC
Eigenschafte integrierter Schaltkreise
- galvanische Trennung
- UVLO (UnderVoltage LockOut)
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* BTD5350EBWRAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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