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DA112S1

Diode: TVS Array; 12A; 0,73W; Bidirektional; ESD; SO8; Ch: 6

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
DA112S1
Symbol TME:
DA112S1

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Dioden-Typ
TVS Array
Strom im max. Impuls
12A
Verlustleistung pro Impuls max.
0,73W
Struktur des Halbleiters
Bidirektional
Ausführung
ESD
Montage
SMD
Gehäuse
SO8
Rückspannung max.
18V
Leck strom
2µA
Anzahl Kanäle
6
Bruttogewicht0.292 g
Zertifikate
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