DAMI160N200
Modul; einzelner Transistor; 200V; 130A; SOT227B; schraubbar; 440W
Hersteller: DACO Semiconductor
Kennzeichnung des Herstellers:
DAMI160N200
Symbol TME:
DAMI160N200-DCO
Technische Daten
Hersteller | DACO Semiconductor | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 130A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 10,3mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 560A | |
Verlustleistung | 440W | |
Gate-Source Spannung | -20...20V | |
Betriebstemperatur | -55...150°C | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.7 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* DAMI160N200Anzahl Stück (Vielfache: 10)
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Nettopreis für Mengen von 10 st - 26.40 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 31.42 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st